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集積回路キットHGE12005 ICチップ電子部品

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Shenzhen Yinggaote Technology Co., Ltd.多業務専門サプライヤー3 yrsCN

キー属性

中核事業の明細

モデル番号
HGE12005
タイプ
オリジナル
銘柄
Original
パッケージのタイプ
TO-3P

その他の属性

取付タイプ
標準
説明
IGBTモジュール
原産地
Guangdong, China
パッケージ/ケース
標準
タイプ
IGBTトランジスタ
実用温度
-55 ℃ 〜 + 175 ℃
d/c
在庫あり
適用
オーディオアンプ
サプライヤータイプ
オリジナルメーカー
メディア利用可能
-
品名
電子部品
電流コレクタ (Ic) (最大)
-
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
-
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
-
電流コレクタカットオフ (最大)
-
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
-
電源-Max
-
周波数遷移
-
抵抗-ベース (R1)
-
抵抗-エミッタベース (R2)
-
FET タイプ
-
ドレンにソース電圧 (Vdss)
100 V
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
-
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
-
Vgs (th) (最大) @ Id
1 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
40 nC
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
周波数
-
定格電流 (アンペア)
-
雑音指数
-
パワー出力
-
電圧定格
-
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
-
Vgs (最大)
-
IGBT タイプ
-
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
-
入力容量 (Cies) @ Vce
-
入力
-
NTC サーミスタ
-
電圧内訳 (V (BR) GSS)
-
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
電流ドレイン (Id)-Max
18 A
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
-
抵抗 RDS (On)
52 mOhms
電圧
-
電圧出力
-
電圧オフセット (Vt)
-
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
-
電流谷 (Iv)
-
電流ピーク
-
アプリケーション
その他

リードタイム

数量 (ピース)1 - 20000 > 20000
推定時間(日)20交渉による

カスタマイズ

PCB
最低 注文: 1000
カスタマイズされたパッケージ
最低 注文: 1000

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1 - 999 ピース
$1.00
>= 1000 ピース
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