HY3215 mosfet transistor original novo 150V 130A TO247 HY3215W

Ainda sem avaliações

Shenzhen Yinggaote Technology Co., Ltd.

Fornecedor com várias especialidades3 yrs

Principais atributos

Principal especificação da indústria

Número do Modelo

HY3215

Tipo

Transistores

Marca

original

Tipo do pacote

Através de orifício

Outros atributos

Tipo de montagem

Através do buraco, Montagem de superfície

Descrição descrição:

Mosfet 150v 130a to247

Lugar de origem

Guangdong, China

Pacote/Caixa

Padrão

Tipo

Transistor, Mosfet

Temperatura de Operação

Padrão

Série

Fabricante original

d/c

Mais novo

Aplicação

Motorista MOSFET

Tipo de Fornecedor

Fabricante Original, ODM, Agência

Referência cruzada:

N/a

Meios de comunicação Disponíveis

Folha de dados, Foto, EDA/Modelos CAD

品名

Transistor

Atual-Collector (Ic) (Max)

N/a

Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)

Padrão

Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

N/a

Atual-Collector Cutoff (Max)

N/a

Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

N/a

Power-Max

N/a

Freqüência-Transição

N/a

Temperatura de operação

-55 °c ~ 175 °c (tj)

Tipo de Montagem

Através do orifício

Resistor-Base (R1)

N/a

Resistor-Emissor Base (R2)

N/a

Tipo FET

N/a

FET Recurso

N/a

Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)

N/a

Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C

N/a

Rds On (Max) @ Id, Vgs

Padrão

Vgs (th) (Max) @ Id

Padrão

Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs

Padrão

Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds

N/a

Freqüência

N/a

Classificação da corrente (Ampères)

N/a

Figura de ruído

N/a

Power-Saída

N/a

Tensão-Classificado

N/a

Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)

N/a

Vgs (Max)

N/a

Tipo IGBT

N/a

Configuração

N/a

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

N/a

Capacitância de entrada (Cas) @ Vce

N/a

Entrada

N/a

Termistor NTC

N/a

Tensão-Repartição (V (BR) GSS)

N/a

Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

N/a

Consumo de corrente (Id)-Max

N/a

Tensão-Corte (VGS off) @ Id

N/a

-Resistência RDS (On)

N/a

Tensão

N/a

Da tensão de Saída-

N/a

Tensão-Offset (Vt)

N/a

Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)

N/a

Atual-Vale (Iv)

N/a

-Corrente de Pico

N/a

Aplicações

N/a

Tipo de Transistor

Padrão

Embalagem e entrega

Unidades de Venda:

Item único

Tamanho da embalagem única:

2X2X2 cm

Peso bruto único:

0.003 kg

Mostrar mais

Tempo até a entrega

Quantidade (Peças)	1 - 30000	30001 - 50000	> 50000
Tempo estimado (dias)	3	5	A ser negociado

Personalização

Original packing

Pedido Mínimo: 1000

Para mais detalhes de personalização, envie uma mensagem ao fornecedor

Descrições do produto pelo fornecedor

10 - 99 Peças

US$ 2,58

100 - 999 Peças

US$ 1,89

>= 1000 Peças

US$ 0,88

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